大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì回族女人为什么离婚少)前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚回族女人为什么离婚少定(dìng)推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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